Вильямс Никитин - В помощь радиолюбителю. Выпуск 8

• Название: В помощь радиолюбителю. Выпуск 8
• Автор: Вильямс Никитин
• Издательство: "НТ Пресс"
• Жанр: Радиотехника
• Год: 2006
• ISBN: 5-477-00338-3

В данном выпуске приведены краткие описания и принципиальные схемы конструкций, ранее опубликованных в радиолюбительской литературе, которых вполне достаточно для сборки и налаживания каждой схемы. Учтены интересы начинающих радиолюбителей самого разного возраста.

Для широкого круга читателей.

---

7.3. Прибор для локальной магнитотерапии

Machalik [30]

Магнитотерапия используется для подавления болевых синдромов при ревматизме, мигрени, болей в суставах и в других случаях. Принципиальная схема прибора показана на рис. 41.

Рис. 41. Принципиальная схема прибора для магнитотерапии

На транзисторах собран импульсный генератор. Рассмотрим его работу с момента, когда конденсатор начал заряжаться коллекторным током открывшегося транзистора VT1.

В это время транзистор VT2 заперт, поэтому VT3 открыт, через него протекает ток базы транзистора VT1, поддерживающий его открытым. По мере заряда конденсатора С1 напряжение на нем растет и в какой-то момент достигает порога отпирания транзистора VT2, что запирает транзисторы VT3 и VT1. Конденсатор С1 начинает разряжаться базовым током VT2. Когда потенциал базы станет меньше порога отпирания, транзистор VT2 запрется, что приведет к отпиранию транзисторов VT3 и VT1. Цикл закончился. Таким образом, время открытого состояния VT1 (длительность импульса) определяется постоянной времени заряда С1, которая равна C1xR2, время запертого состояния VT1 (длительность паузы) — постоянной времени разряда С1, равной C1xR3.

Зарядный ток конденсатора С1 представляет собой лишь малую часть импульсного тока коллектора VT1. Основной его ток проходит в обмотку электромагнита L1, так как его сопротивление значительно меньше R2. Наконец, малая часть импульсного тока направляется в цепь светодиода HL1 для индикации. От импульсов самоиндукции, возникающих на обмотке электромагнита в момент запирания транзистора VT1, его защищает диод VD1.

Питать прибор в целях электробезопасности целесообразно от автономного источника, например батареи «Крона». Обмотка электромагнита наматывается проводом ПЭВ-2 диаметром 0,25 мм внавал на изоляционном каркасе с внутренним диаметром 10 мм до заполнения каркаса, наружный диаметр которого составляет 20 мм, а расстояние между щечками — 20 мм. Внутрь каркаса плотно вставляется стержень из мягкой стали длиной 20–30 мм.

Приложение СИСТЕМА УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Условное обозначение интегральных микросхем (ИМС) для ориентации потребителей должно содержать информацию об их особенностях и назначении. Для этого согласно ГОСТ 17021-88 установлена определенная система. Главная часть условного обозначения состоит из трех- или четырехзначного числа, обозначающего номер серии, двух букв русского алфавита, которыми закодировано функциональное назначение микросхемы, и цифр порядкового номера разработки.

Первая цифра номера серии характеризует конструктивно-технологические свойства микросхемы: цифры 1, 5, 6 и 7 относятся к полупроводниковым микросхемам; 2, 4, 8 — к гибридным; 3 — к прочим, в том числе к пленочным. Гибридные микросхемы в настоящее время уже не выпускаются.

ИМС одной и той же серии обладают такими характеристиками, которые позволяют соединять между собой микросхемы этой серии разного функционального назначения без дополнительного согласования между ними и без дополнительных элементов схемы. Для этого микросхемы внутри серии рассчитаны на одинаковые напряжения питания и согласуются по уровням входных и выходных сигналов. Благодаря этому за счет широкой номенклатуры микросхем самого разного назначения внутри серии имеется возможность создания целого электронного устройства, собранного на микросхемах этой серии. Это значительно сокращает время разработки, габариты и массу устройства, а также потребляемую энергию. Хотя по питанию и входным-выходным сигналам микросхемы внутри серии полностью совместимы, обойтись без некоторых навесных элементов при создании аналоговых устройств пока не удается. Все еще приходится использовать катушки индуктивности, кварцевые резонаторы, крупногабаритные конденсаторы, переменные резисторы, электромагнитные реле и другие дискретные элементы. Многие разные серии микросхем также характеризуются одинаковыми значениями напряжения питания, что позволяет при сборке устройства использовать источник питания, вырабатывающий одно стабилизированное напряжение, что упрощает его конструкцию и сокращает номенклатуру источников питания.

Условные буквенные обозначения функционального назначения микросхем приведены в табл. 1.

Таблица 1. Условные буквенные обозначения функционального назначения ИМС

Обозначение Функциональное назначение

Формирователи

• АА Формирователи адресных напряжений и токов

• АГ Формирователи импульсов прямоугольной формы

• АП Формирователи прочие

• АР Формирователи разрядных напряжений и токов

• АФ Формирователи импульсов специальной формы

Схемы задержки

• БМ Пассивные схемы задержки

• БП Прочие схемы задержки

• БР Активные схемы задержки

Схемы вычислительных устройств

• ВА Схемы сопряжения с магистралью

• ВБ Схемы синхронизации

• ВВ Устройства управления вводом-выводом (схемы интерфейса)

• ВГ Контроллеры

• BE МикроЭВМ

• ВЖ Специализированные устройства

• ВИ Времязадающие устройства

• ВК Комбинированные устройства

• ВМ Микропроцессоры

• ВН Схемы управления прерыванием

• ВП Прочие устройства

• ВР Функциональные расширители

• ВС Микропроцессорные секции

• ВТ Устройства управления памятью

• ВУ Устройства программного управления

• ВФ Функциональные преобразователи информации

• ВХ Микрокалькуляторы

Генераторы

• ГГ Генераторы прямоугольных сигналов

• ГЛ Генераторы линейно-изменяющихся сигналов

• ГМ Генераторы шума

• ГП Прочие генераторы

• ГС Генераторы гармонических сигналов

• ГФ Генераторы сигналов специальной формы

Детекторы

• ДА Детекторы амплитудные

• ДИ Детекторы импульсные

• ДП Детекторы прочие

• ДС Детекторы частотные

• ДФ Детекторы фазовые

Источники вторичного электропитания

• ЕВ Выпрямители вторичных источников питания

• ЕК Стабилизаторы напряжения импульсные

• ЕМ Преобразователи вторичных источников питания

• ЕН Стабилизаторы напряжения непрерывные

• ЕП Прочие вторичные источники питания

• ЕС Источники вторичного электропитания

• ЕТ Стабилизаторы тока вторичных источников питания

• ЕУ Схемы управления импульсными стабилизаторами напряжения

Схемы цифровых устройств

• ИА Арифметико-логические устройства

• ИВ Шифраторы арифметических и дискретных устройств

• ИД Дешифраторы арифметических и дискретных устройств

• ИЕ Счетчики арифметических и дискретных устройств

Комбинированные элементы арифметических и дискретных устройств

• ИЛ Полусумматоры арифметических и дискретных устройств

• ИМ Сумматоры арифметических и дискретных устройств

• ИП Прочие элементы арифметических и дискретных устройств

• ИР Регистры арифметических и дискретных устройств

Коммутаторы и ключи

• КТ Коммутаторы и ключи тока

• КН Коммутаторы и ключи напряжения

• КП Коммутаторы и ключи прочие

Логические элементы

• ЛА Логические элементы И-НЕ

• ЛБ Логические элементы И-НЕ, ИЛИ-НЕ

• ЛД Расширители

• ЛЕ Логические элементы ИЛИ-НЕ

• ЛИ Логические элементы И

• ЛК Логические элементы И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ

• ЛЛ Логические элементы ИЛИ

• ЛМ Логические элементы ИЛИ-НЕ/ИЛИ

• ЛН Логические элементы НЕ

• ЛП Логические элементы прочие

• ЛР Логические элементы И-ИЛИ-НЕ