Пауль Хоровиц - Искусство схемотехники. Том 3 [Изд.4-е]

• Название: Искусство схемотехники. Том 3 [Изд.4-е]
• Автор: Пауль Хоровиц
• Издательство: "Мир"
• Жанр: Радиотехника
• Год: 1993
• ISBN: 5-03-002954-0 (русск.); 5-03-002336-4; 0-521-37095-7 (англ.)

Широко известная читателю по предыдущим изданиям монография известных американских специалистов посвящена быстро развивающимся областям электроники. В ней приведены наиболее интересные технические решения, а также анализируются ошибки разработчиков аппаратуры: внимание читателя сосредотачивается на тонких аспектах проектирования и применения электронных схем.

На русском языке издается в трех томах. Том 3 содержит сведения о микропроцессорах, радиотехнических схемах, методах измерения и обработки сигналов, принципах конструирования аппаратуры и проектирования маломощных устройств, а также обширные приложения.

Для специалистов в области электроники, автоматики, вычислительной техники, а также студентов соответствующих специальностей вузов и техникумов.

---

MCS · MOS Technology

MIL · Microsystems International

ML, MN, SL, SP, TAB · Plessey

ML, MT · Mitel

MM · Teledyne-Amelco, Monolithic Memories

MN · Micro Networks

MP · Micro Power Systems

MSM · Oki

N, NE, PL, S, SE, SP · Signetics

nnG · Gigabit Logic

NC · Nitron

PA · Apex

PAL · AMD/MMI

R · Rockwell

R, Ray, RC, RM · Raytheon

RD, RF, RM, RT, RU · EG&C Reticon

S · AMI

SFC · ESMF

SG · Silicon General

SN, TL, TLC, TMS · Texas Instruments (TI)

SS · Silicon Systems

T, ТА, ТС, TD, TMM, TMP · Toshiba

OM, PCD, PCF, · AEG, Amperex, SGS,

SAA, SAB, SAF,SCB, SCN, · Siemens, Signetics,

TAA, TBA, TCA, TDA, TEA, U · Telefunken

TML · Telmos

TP · Teledyne Philbrick

TPQ, UCN, UCS, UDN, UDS, UHP, ULN, ULS · Sprague

TSC · Teledyne Semiconductor

μPB, μPC, μPD · NEC

V · Amtel

VA, VC · VTC

VT · LSI Technology Inc. (VTI)

X · Xicor

XC · Xilinx

XR · Exar

Z · Zilog

ZN · Ferranti

5082-nnnn · Hewlett-Packard (HP)

Суффиксы

Суффикс указывает на тип корпуса и температурный интервал. Существуют 3 стандартных интервала температур: военный (от —55 до +125 °C), промышленный (от —25 до +85 °C) и коммерческий (от 0 до 70 °C). Последний интервал подходит для систем, которые используются в помещениях с нормальными условиями эксплуатации. По собственной прихоти каждая фирма-изготовитель устанавливает для себя собственные суффиксы и часто их изменяет. Мы не стремились привести здесь все суффиксы, так как это едва ли поможет при идентификации ИС. (Однако, прежде чем заказывать ИС, следует найти и указать правильный суффикс.)

Указание даты в маркировке. На большинстве ИС и транзисторов и на многих других электронных компонентах проставляется четырехзначная дата изготовления: первые две цифры указывают год, а последние две — неделю года. В приведенном выше примере число 7410 означает, что ИС была изготовлена во вторую неделю марта месяца 1974 г. Иногда эти цифры полезны, так как позволяют определить возраст компонентов, имеющих ограниченный срок службы (к числу таких компонентов относятся, например, электролитические конденсаторы); к сожалению, компоненты с наиболее коротким сроком службы (батареи) специально маркируют так, что нельзя определить дату изготовления. Если вам попадется партия ИС с необычно высоким уровнем отказов (в большинстве случаев на предприятии проверяется только некоторая выборка из партии; как правило, от 0,01 % до 0,1 % поступающих в продажу ИС не отвечает паспортным данным), то лучше не заменять их схемами с такой же датой изготовления. Дата, указанная в маркировке, позволяет также определять дату изготовления коммерческого оборудования. Так как ИС не «черствеют» подобно хлебу, нет смысла отказываться от ИС со старой датой изготовления.

Приложение Л ТЕХНИЧЕСКИЕ ПАСПОРТА НА ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

В этом приложении мы привели три паспорта на элементы в том виде, каком их предоставляет фирма-изготовитель. Мы выбрали подходящие для примера или широко распространенные элементы, особое внимание при отборе было обращено на то, чтобы паспорта были четкими и понятными.

На следующих страницах помещены паспорта на следующие элементы:

2N4400-4401 Популярный сигнальный транзистор

(по изданию Motorola Semiconductor Library, том 1, 1974).

(С разрешения фирмы Motorola Semiconductor Products Inc.)

LF411-412 Популярная серия ОУ на полевых транзисторах с p-n-переходом

(печатается по изданию National Semiconductor Linear Data Book, том 1, 1988).

(С разрешения фирмы National Semiconductor Corp.)

LM317 Регулируемый 3-выводной стабилизатор положительного напряжения

(печатается по изданию National Semiconductor Linear Data Book, 1978).

(С разрешения фирмы National Semiconductor Corp.) 

2N4400 2N4401

Кремниевые переключательные и усилительные n-р-n-транзисторы; август 1966-DS 5198

1 — плоский D-образный корпус для обеспечения монтажа на плоской плате;

2 — прочный, литой, высокотемпературный, прессованный, влагоустойчивый пластмассовый корпус;

3 — расположение вывода легко приспосабливается к стандартному кругу выводов ТО-18;

4 — овальные позолоченные выводы длиной 19/32 дюйма позволяют надежно паять соединение.

Кремниевые n-р-n-транзисторы типа ANNULARE[6]

… предназначены для ключевых схем общего назначения, усилительных схем и для использования в комплементарных схемах совместно с p-n-p-транзисторами типа 2N4402 и 2N4403.

• Высокое предельное напряжение - пробивное UKЭО = 40 В (мин.).

• Усиление по току определяется в пределах от 0,1 до 500 мА.

• Низкое напряжение насыщения Uкэ (нас) = 0,4 В (макс.) при Iк = 150 мА.

• Полный перечень переключательных и усилительных характеристик.

• Литой корпус типа Injection-Molded Unibloc[7].

Схема ТО-92.

Эквивалентные схемы для измерения времени переключения

Рис. 1. Время включения.

Время нарастания осциллографа < 4 нс,* полная шунтирующая емкость испытательного стенда, соединений и осциллографа. 

Рис. 2. Время выключения.

Переходные характеристики

На рис. 3–8: 25 °C, — 100 °C.

Рис. 3. Емкости.

Рис. 4. Характеристики заряда.

Рис. 5. Время включения.

Рис. 6. Время нарастания и время спада.

Рис. 7. Время хранения.

Рис. 8. Время спада.

Характеристики малого сигнала

Коэффициент шума

Uкэ = 10 В пост. тока, Токр = 25 °C

Рис. 9. Влияние частоты.

Рис. 10. Влияние сопротивления источника.

h-параметры

Uкэ = 10 В пост, тока, f = 1 кГц, Токр = 25 °C. 

Эта группа графиков иллюстрирует взаимосвязь между h21э и другими h-параметрами для транзисторов этой серии. Для получения этих кривых были отобраны элементы с высоким и низким коэффициентом усиления среди транзисторов типа 2N4400 и 2N4401, соответствующие номера элементов проставлены на каждом из графиков.

Рис. 11. Коэффициент усиления по току.

Рис. 12. Входное сопротивление.

Рис. 13. Коэффициент обратной связи по напряжению.

Рис. 14. Выходная проводимость.

Статические характеристики

Рис. 15. Коэффициент усиления по постоянному току.

Рис. 16. Область насыщения коллектора.

Рис. 17. Напряжения «включенного» состояния.

Рис. 18. Температурные коэффициенты.

Операционные усилители с входами на полевых транзисторах с p-n-переходом с небольшим напряжением сдвига, малым дрейфом LF411A/LF411 (National Semiconductor)

Общее описание. Эти недорогие, быстродействующие элементы представляют собой операционные усилители с входами на полевых транзисторах с p-n-переходом с очень небольшим напряжением сдвига и гарантированным малым дрейфом этого напряжения. Для них требуется небольшой питающий ток, при этом обеспечивается высокое значение произведения коэффициента усиления на ширину полосы пропускания и высокая скорость нарастания. Кроме того, хорошо согласованные высоковольтные ОУ с входами на полевых транзисторах с p-n-переходом характеризуются малым входным током смещения и малым током сдвига. По выводам элемент LF411 совместим со стандартным элементом LM741, а это значит, что разработчик может моментально улучшить характеристики уже существующих приборов.